集团动态
2025/06/09
中晶科技获氮化镓衬底剥离发明专利
近日，国家知识产权局发布《授予发明专利权通知书》，授予中晶科技一项发明专利“一种蓝宝石与氮化镓衬底剥离方法”（专利号：202210989870.0），助力中晶科技在氮化 础。截止目前，公司已累计取得各类专利授权50余项，其中发明专利授权18项，技术布局覆盖半导体材料加工核心环节。
氮化镓作为第三代半导体核心材料，在5G、新能源汽车等领域需求激增。中晶科技的技术突破将加速氮化镓衬底的规模化应用，有利于公司向Micro-LED、高频功率器件等新兴领域产业发展，并降低对进口材料的依赖。
氮化镓作为第三代半导体核心材料，在5G、新能源汽车等领域需求激增。中晶科技的技术突破将加速氮化镓衬底的规模化应用，有利于公司向Micro-LED、高频功率器件等新兴领域产业发展，并降低对进口材料的依赖。
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